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Transistor complementario MJE3055T
Protección de Polaridad inversa
semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP
Corriente de salida y entrada de 25mA
2N7000 MOSFET Canal N 60V - 200mA TO-92
2SC945 Transistor BJT NPN 50V - 150mA TO-92 Resistencia 1/2W Transistor complementario MJE3055T2SC945 Transistor BJT NPN 50V 150mA TO 92, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plstico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 250mW, aun as, puede controlar dispositivos que consuman hasta 150mA o que requieran tensiones de hasta 50VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacin mxima. Su juntura es NPN, con un factor de amplificacin (hFE) que varia
US$ 90.00
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